レーザー溝切り技術はレーザーを用いてシリコンウェハの裏面に穴を開けたり溝を切ったりし、一部のAlOx(SiOx)とSiNx薄膜層を打ち抜いてシリコン基体を露出させ、裏面電界は薄膜上の穴や溝を通じてシリコン基体と接触を実現します。